现代光学耦合器的核心是输入端的LED和输出端的光电探测器. 它们被绝缘的光传导介质隔开。光电探测器可以是光电晶体管，可以是带有晶体管的光电二极管，也可以是集成式检测器/逻辑集成电路。大多数光学耦合器都经过UL1577、CSA和IEC/DIN EN/EN 60747-5-2列明的基本安全标准认证。
在某些情况下，人们特别希望提高一个封装中的光学耦合器数量，以优化生产成本，节约电路板空间。例如，在计算机系统中，在一个封装中集成两条以上的光学耦合器通道，可以明显降低并行接口和串行接口的部件数量和电路板空间，如RS232/485/422、SPI (串行外设接口)和集成电路之间(I2C)总线。多通道光学耦合器在工业控制、测试测量、PLC(程控逻辑控制器)医疗系统、Fieldbus接口和数据采集中；在POE (通过以太网供电)和联网电路板等通信应用中；在等离子平板显示器和其它消费家电中都提供了同样的优势。
以前把两个以上的光学耦合器集成到一个DIP/表面封装的浇铸封装中是一个很大的挑战。主要问题来自已有的封装工艺及LED方块的正面发光特点。
部分困难包括：
*制造工艺增加，工艺复杂程度增加；
*光学耦合器通道之间的光泄漏/串扰； *由于隔离材料放置困难而导致IC芯片数量提高的相关问题； *由于要求的引线框和封装图形，需要明显大得多的封装。
光学耦合器制造技术
光学耦合器的工作基础是LED发出的光通过透明的绝缘介质到光电探测器，这种介质提供2.5 kV - 6 kV范围的高压绝缘。光耦合程度取决于光导材料。绝缘将通过光导材料本身或通过额外的光传导介电材料实现。在任何情况下，LED的排列、光导材料、介电材料和IC都会直接影响光耦合和高压绝缘的性能。一般来说，光学耦合器封装与传统集成电路封装类似，但它采用独特的工艺步骤和必要的材料，以形成光导，满足高压绝缘要求。下表列明了各种浇铸光学耦合器的制造方法，介绍了独特的材料、工艺和限制。
双浇铸工艺
双浇铸工艺
图1 浇铸光学耦合器封装使用的双浇铸工艺
图2 浇铸光学耦合器封装使用的介电材料放置工艺
在单通道光学耦合器的双浇铸工艺中，LED和IC通过模具连接到两个不同的引线框和焊接线上。然后使用焊接把两个引线框组合在一起。在引线框焊接完毕后，LED直接面向IC，LED位于IC上方。然后，组合好的引线框使用白色光传导化合物进行浇铸，构成光导装置，把光从LED传送到IC光电检测器上。白色化合物还提供了高压绝缘功能。最后，得到的组件使用不透明的化合物浇铸，构成最终的封装轮廓。
介电材料放置工艺
在介电放置工艺中，LED和IC的排列与双浇铸工艺相同。但它不使用白色化合物，而是在LED和IC之间使用硅树脂，形成光导装置。此外，它在LED和IC之间放一个光传导介电装置，形成高压绝缘。最后，器件使用不透明的浇铸化合物浇铸。
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